Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, anuncia que ha comenzado a enviar muestras de dispositivos de memoria Triple-Level Cell (TLC) de 1 Tb (terabit) que incorporan su tecnología de memoria flash 3D BiCS FLASH™ de 9.ª generación1. Se trata de dispositivos diseñados especialmente para aplicaciones como computadoras personales y teléfonos inteligentes con IA que cuentan con capacidades de almacenamiento de nivel bajo a medio pero requieren un alto rendimiento.
Kioxia sigue aplicando una estrategia de doble eje basada en su innovadora tecnología de semiconductor complementario de óxido metálico (CMOS) directamente unida a la matriz (CBA)2 y en la tecnología On-Pitch Select Gate Drain (OPS)3. En el marco de su exclusiva estrategia de doble eje, Kioxia está desarrollando simultáneamente dos líneas de productos distintas: sus soluciones de 9.ª generación, que ofrecen un alto rendimiento a un costo de inversión relativamente bajo, y su tecnología de 10.ª generación, que aprovecha el apilamiento avanzado de capas para lograr una capacidad masiva y un rendimiento superior.
Los nuevos dispositivos TLC de 1 Tb con tecnología BiCS FLASH™ de 9.ª generación, desarrollados mediante un proceso de apilamiento de 230 capas basado en la tecnología BiCS FLASH™ de 8.ª generación y en la tecnología CMOS avanzada, ofrecen una velocidad de interfaz NAND de 4,8 Gb/s, lo que representa una mejora del 33% con respecto a los dispositivos de octava generación y equipara el rendimiento de los dispositivos de décima generación4.
Guiada por su misión de “mejorar el mundo con ‘memoria’”, Kioxia mantiene su compromiso de impulsar la innovación tecnológica, fortalecer las alianzas globales y ofrecer soluciones avanzadas de almacenamiento que impulsen la infraestructura moderna de IA.
Notas:
* La densidad del producto se determina en función de la densidad de los chips de memoria que contiene, no de la capacidad de memoria disponible para el almacenamiento de datos por parte del usuario final. La capacidad útil para el consumidor será menor debido a las áreas de datos de gestión, el formateo, los bloques defectuosos y otras limitaciones, y también puede variar según el dispositivo anfitrión y la aplicación. Para obtener más detalles, consulte las especificaciones del producto correspondiente. 1 Gb = 2^30 bits = 1 073 741 824 bits. * Las velocidades de lectura y escritura son los mejores valores obtenidos en un entorno de prueba específico en Kioxia Corporation. La empresa no garantiza las velocidades de lectura ni de escritura en dispositivos individuales. Las velocidades de lectura y escritura pueden variar según el dispositivo utilizado. * Los nombres de empresas, productos y servicios pueden ser marcas registradas de terceras empresas. * Este anuncio se ha elaborado con el fin de proporcionar información sobre nuestra actividad y no constituye ni forma parte de una oferta o invitación a vender, ni de una solicitud de oferta para comprar, suscribir o adquirir de cualquier otra forma valores en ninguna jurisdicción, ni constituye un incentivo para participar en actividades de inversión; tampoco servirá de base ni se podrá invocar en relación con ningún contrato al respecto. * La información contenida en el presente documento, incluidos los precios y las especificaciones de los productos, el contenido de los servicios y la información de contacto, es correcta a la fecha del anuncio, pero está sujeta a cambios sin previo aviso.
Acerca de Kioxia
Kioxia es líder mundial en soluciones de memoria, dedicada al desarrollo, producción y venta de memorias flash y unidades de estado sólido (SSD). En abril de 2017, su predecesora Toshiba Memory se escindió de Toshiba Corporation, la empresa que inventó la memoria flash NAND en 1987. Kioxia se compromete a mejorar el mundo con “memoria” ofreciendo productos, servicios y sistemas que generen opciones para los clientes y valor basado en la memoria para la sociedad. La innovadora tecnología de memoria flash 3D de Kioxia, BiCS FLASH™, está dando forma al futuro del almacenamiento en aplicaciones de alta densidad, incluidos teléfonos inteligentes avanzados, PC, sistemas automotrices, centros de datos y sistemas de inteligencia artificial generativa.
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Los nuevos dispositivos incorporan la celda de memoria existente y tecnologías CMOS avanzadas para lograr mayor eficiencia de inversión. – Business Wire
